Özet:

Sürekli gelişen optoelektronik teknolojisi alternatif saydam iletken oksit (SİO) malzemelere ihtiyaç duymaktadır. Optik geçirgenliklerinin yüksek olmasından ve iletken olmalarından dolayı SİO malzemelerin birçok uygulama alanı vardır. Çinko oksit (ZnO) ince filmler de, SİO malzemelerin en önemlilerinden biri olup optoelektronik teknolojisinde sıklıkla kullanılır. Bu çalışmada, ZnO ince filmler basit ve düşük maliyetli bir ince film kaplama tekniği olan sol-gel döndürerek kaplama tekniği ile cam taban üzerine üretilmiş ve üretilen ince filmler farklı sıcaklıklarda hava ortamında tavlanmıştır. Döndürerek kaplama tekniğinin parametreleri değiştirilerek üretilen ince filmlerde en iyi kristalleşmeyi gösteren filmlerin oluşacağı şartlar X-Işını Kırınımı (XRD) ile belirlenmiştir. Ayrıca üretilen filmlerin yüzeysel ve optiksel özellikleri sırasıyla, Alan Emisyonu Taramalı Elektron Mikroskobu (FESEM) ve UV-Visible Spektroskopisi kullanılarak karakterize edilmiştir. Yapılan bu incelemeler sonucunda, elde edilen ince filmlerin kristal yapıları ayrıntılı olarak incelenerek deney parametrelerinin ve tavlama sıcaklığının ince filmlerin kristalleşmesine etkisi belirlenmiştir.

Anahtar Kelimeler: