SnS2 yarıiletken ince filmleri, kimyasal depolama yöntemi (KDY) kullanılarak 50-80oC’de cam alttabanlar üzerine elde edildi. X-ışını kırınım spektrumu filmlerin amorf yapıda olduklarını göstermiştir. SnS2 filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV-vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (%T) ve optik soğurma (A) değerleri 400-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Elde edilen veriler ile filmlerin optik parametreleri olan soğurma katsayısı (α), kırılma indisi (n), sönüm katsayısı (k), reel, imajiner dielektrik sabitleri (Ԑ1, Ԑ2) ve enerji bant aralığı (Eg) değerleri hesaplandı. Hall etkisi ölçümlerinden SnS2 filmleri n-tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.
SnS2 semi-leading thin films were obtained on the glass undergrounds at 50-80oC using the chemical storage method (KDY). The X-ray breaking spectrum has shown that the films are in an amorphic structure. UV-vis spectrometers have been used to determine the optical characteristics of SnS2 films. The optical tolerance (%T) and optical cooling (A) values in the room temperature of the films are determined in the wavelength range of 400-1100 nm. The obtained data and the optical parameters of the films were calculated by the cooling rate (α), the breakdown index (n), the extinction rate (k), the real, the imaginary dielectric fixations (
Alan : Mühendislik
Dergi Türü : Ulusal
Benzer Makaleler | Yazar | # |
---|
Makale | Yazar | # |
---|