Kullanım Kılavuzu
Neden sadece 3 sonuç görüntüleyebiliyorum?
Sadece üye olan kurumların ağından bağlandığınız da tüm sonuçları görüntüleyebilirsiniz. Üye olmayan kurumlar için kurum yetkililerinin başvurması durumunda 1 aylık ücretsiz deneme sürümü açmaktayız.
Benim olmayan çok sonuç geliyor?
Birçok kaynakça da atıflar "Soyad, İ" olarak gösterildiği için özellikle Soyad ve isminin baş harfi aynı olan akademisyenlerin atıfları zaman zaman karışabilmektedir. Bu sorun tüm dünyadaki atıf dizinlerinin sıkça karşılaştığı bir sorundur.
Sadece ilgili makaleme yapılan atıfları nasıl görebilirim?
Makalenizin ismini arattıktan sonra detaylar kısmına bastığınız anda seçtiğiniz makaleye yapılan atıfları görebilirsiniz.
 Görüntüleme 19
 İndirme 1
Al/Si3N4:ZnO/pSi/Al Schottky Diyotların Akım-Voltaj Karakterizasyonu
2023
Dergi:  
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi
Yazar:  
Özet:

Son yıllarda toksik ve doğaya zarar veren kimyasallar yerine doğal materyaller kullanılarak çeşitli nano malzemelerin sentezi ilgi çekmektedir. Biyolojik sentez yöntemi doğal malzemeler kullanılarak uygulanan bir sentez yöntemidir. Biyolojik sentez ile doğaya zarar veren ve toksik kimyasallar yerine indirgeyici ajan ve stabilizör olarak doğal katkı maddeleri kullanılarak üretilen nano boyutlu tozlar biyomedikal, enerji depolama gibi farklı alanlarda kullanılmaktadır. Biyolojik yöntem ile sentezlenen nano partiküllerin diyotlarda kullanıldığında performansı nasıl etkileyeceği konusunda çalışmalar mevcut değildir. Bu çalışmada çinkooksit (ZnO) tozu hibiskus bitki ekstraktı kullanılarak biyolojik yöntemle sentezlenmiş ve ince film olarak p tipi silisyum altlık üzerine kaplanmıştır. Sentezlenen ZnO tozları XRD analizi ile incelenmiş hegzagonal wurtize formunda olduğu belirlenmiştir. Çalışmanın bir bölümü biyolojik sentez ile ZnO ince filmin kaplanmasına odaklanırken devamında elde edilen ZnO ince filmler silisyum nitrür (Si3N4) katkılanarak temel diyot parametrelerinden idealite faktörünün nasıl değiştiği incelenmiştir. Yapıya Si3N4 katkısı gerçekleştirilerek elektron deşik rekombinasyonunun azaltılması ve ara yüzey pasivizasyonunun artırılması amaçlanmıştır. Hazırlanan Si3N4 katkılı ZnO solüsyonu silisyum altlık yüzeyine 3000 devir/dakika dönme hızında 10 saniyede kaplanmıştır ve elde edilen ince filmler 400 ℃’de tavlanmıştır. Hazırlanan ince film kaplamaların elektriksel karakterizasyonunu belirlemek amacıyla alüminyum ohmik ve doğrultucu kontaklar fiziksel buhar biriktirme (PVD) ile kaplanmıştır. Daha sonra FESEM analizi ile diyotlar morfolojik olarak incelenerek kaplama kalınlığının ortalama 200 nm olduğu gözlemlenmiştir. Hazırlanan diyotlara Keithley 2400 cihazında karanlıkta akım-voltaj (I-V) analizi yapılmıştır. Elde edilen I-V analizinden Si3N4 katkılı ve katkısız diyotların idealite faktörleri sırasıyla 2,92 ve 4,17 doğrultma oranları ise 96,3 ve 10,8 olarak hesaplanmıştır.

Anahtar Kelimeler:

Al/Si3N4:ZnO/pSi/Al Schottky Diyotların Akım-Voltaj Karakterizasyonu
2023
Yazar:  
Özet:

In recent years, the synthesis of various nanomaterials, using natural materials instead of toxic and harmful chemicals, has attracted interest. Biological synthesis method is a synthesis method applied using natural materials. Nano-dimensional powder produced by using natural additives as a reducing agent and stabilizer instead of toxic chemicals, which is harmful to nature by biological synthesis, is used in different areas such as biomedical, energy storage. There are no studies on how nano particles synthesized by biological method will affect their performance when used in diots. In this study, zinc oxide (ZnO) powder is synthesized by biological method using hibiscus plant extract and covered on the p-type silicon substrate as a thin film. Synthesized ZnO powder has been determined to be in the form of hegzagonal wurtize studied by XRD analysis. Part of the study focused on the coating of the ZnO thin film with biological synthesis while the ZnO thin films obtained in the continuity contributed to silicon nitrate (Si3N4) and studied how the ideality factor changed from the basic diot parameters. The contribution of Si3N4 to the structure is aimed at reducing the electrone-range recombination and increasing the inter- surface passivization. The prepared Si3N4 add-on ZnO solution is covered at the surface of the silicon substrate at a spin rate of 3000 rpm in 10 seconds, and the resulting thin films are wrapped at 400 °C. To determine the electrical characterization of the prepared thin film coatings, the aluminum ohmic and verifying contacts are covered with physical steam savings (PVD). Later, with the FESEM analysis, the diots were morphologically studied and the coating thickness was observed at an average of 200 nm. The prepared diots were analyzed by the Keithley 2400 device in the dark with current-voltage (I-V). From the I-V analysis obtained, the ideality factors of the Si3N4 contributed and non-contributed diots were calculated at 2.92 and 4.17 respectively, while the correcting rates were calculated at 96.3 and 10.8.

Anahtar Kelimeler:

0
2023
Yazar:  
Atıf Yapanlar
Bilgi: Bu yayına herhangi bir atıf yapılmamıştır.
Benzer Makaleler








Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi

Alan :   Fen Bilimleri ve Matematik

Dergi Türü :   Ulusal

Metrikler
Makale : 1.636
Atıf : 3.109
2023 Impact/Etki : 0.134
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi