Citation Number
1
Views
5
Downloands
2
Bu çalışmada, Değiştirilmiş Akım Geriyönlü Geçiş-iletkenliği Kuvvetlendiricisi (Modified Current Backward Transconductance Amplifier-MCBTA) aktif elemanı kullanılarak yeni bir akım modlu dikgen sinusoidal osilatör (quadrature oscillator) devresi tasarımı gerçekleştirilmiştir. Önerilen dikgen sinusoidal osilatör devresi iki adet MCBTA, iki adet bir ucu topraklı kapasite elemanı ve bir adet bir ucu topraklı direnç elemanından oluşmaktadır. Önerilen devrenin akım çıkış uçları yüksek çıkış empedansına sahiptir ve ard arda bağlanmaya uygun yapıdadır. Osilasyon şartı bir direnç elemanı ile ve/veya MCBTA aktif elemanının geçiş iletkenliği parametresi (gm) ile kontrol edilebilmektedir. Önerilen devrenin doğruluğu PSPICE simülasyonları gerçekleştirilerek gösterilmiştir. MCBTA aktif elemanının CMOS gerçeklemesi TSMC 0.25 µm üretim parametreleri için gerçekleştirilmiş ve simülasyon sonuçları elde edilmiştir.
In this study, a new current-modified sinusoidal oscillator (quadrature oscillator) circuit was designed using the Modified Current Backward Transconductance Amplifier (MCBTA) active element. The recommended straight sinusoidal oscillator circuit consists of two MCBTAs, two end-to-ground capacity elements and one end-to-ground resistance elements. The current output ends of the recommended circuit have a high output empedance and are in a proper structure to connect successively. The oscillation condition can be controlled by a resistance element and/or the transitional conductivity parameter (gm) of the MCBTA active element. The accuracy of the recommended circuit is shown by performing PSPICE simulations. The CMOS realisation of the MCBTA active element was carried out for TSMC 0.25 μm production parameters and the simulation results were obtained.
Field : Mimarlık, Planlama ve Tasarım; Mühendislik
Journal Type : Uluslararası
Article Detail 
Citation Owners
Similar Articles
Journal Information
Listen Paper
Print This Page
Share
Mendeley
