Özet:

Bu çalışmada, elektrik ve eğik manyetik alan altında GaAs/GaAlAs çoklu (beş kuantum kuyusu) kuantum kuyusunda dış alanların (elektrik ve eğik manyetik alan) ve kuyu parametrelerinin optik soğurma katsayısı üzerindeki etkileri teorik olarak incelenmiştir. İlk olarak, çoklu kuantum kuyularında kuşatılmış bir elektronun özdeğer ve özfonksiyonları, etkin-kütle yaklaşımı ile transfer-matris metodu kullanılarak Schrödinger denkleminden analitik olarak hesaplanmıştır. İkinci aşamada, GaAs/GaAlAs çoklu kuantum kuyu sisteminde doğrudan, dolaylı ve toplam bandiçi optik soğurma çalışılmış ve optik geçişler için kompakt yoğunluk matris yaklaşımı kullanılmıştır. Dış alan şiddetleri ve θ-eğiklik açıları gibi parametrelerin sadece soğurma spektrumdaki pik pozisyonlarını kaydırmakla kalmayıp, aynı zamanda yüksekliklerini de önemli ölçüde değiştirdiği gösterilmiştir. Genellikle, kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri, uygulanan dış alanlara ve kuyu parametrelerine oldukça duyarlıdır. Bu nedenle, dış alanların etkisini, uzak kızılötesi elektromanyetik spektrum aralığında ilgili optik özellikleri ayarlamak ve kontrol etmek için kullanılabileceği sonucuna varabiliriz.

Anahtar Kelimeler: