Üçlü kare kuyu tel sisteminedışarıdan uygulanan manyetik ve lazer alan etkisi altında yapının içinde bulunan bir elektronun hidrojenimsi yabancı atoma bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, dışarıdan uygulanan etkilere duyarlılığı, farklı tel boyutları dikkate alınarak gösterildi.Üçlü kuantum tel yapısı olarak GaAs/AlxGa1-xAs yarıiletkenlerinin kullanıldığı kuantum tel kuyusu düşünüldü. Uygulanan manyetik alan tel eksenine paralel negatif z yönünde veaynı şekilde, lazer alan tel eksenine paralel negatif z doğrultusunda olacak şekilde seçildi.Hesaplamalarda sonlu farklar nümerik diferansiyel denklem çözme yöntemi kullanıldı.Elektron bant enerjilerinin, uygulanan alanlara ve tel kalınlığına nasıl bağlı olduğu gösterildi.Bu tür yapıların elektronik özelliklerinin anlaşılması için deneysel çalışmalara göre daha ekonomik ve daha hızlı sonuç elde edileceği gösterildi.
Under the magnetic and laser field effect applied from the external system, the hydrogenic foreign atom connection energy of an electron inside the structure was calculated. The sensitivity of connective energy to external effects was demonstrated by taking into account different wire sizes.The quantum wire hole was considered as a triple quantum wire structure where the GaAs/AlxGa1-xAs semiconductors were used. The applied magnetic field is selected to be in the parallel negative z direction to the wire axis and in the same way, the laser field is selected to be in the parallel negative z direction to the wire axis.In calculations, the final differences were used by the method of resolving the numerical differential equation.It was shown how the electronic band energies are connected to the applied fields and the wire thickness. For the understanding of the electronic characteristics of such structures, more economical and faster results will be achieved than experimental studies.
Alan : Fen Bilimleri ve Matematik; Mimarlık, Planlama ve Tasarım; Mühendislik
Dergi Türü : Ulusal
Benzer Makaleler | Yazar | # |
---|
Makale | Yazar | # |
---|