Kullanım Kılavuzu
Neden sadece 3 sonuç görüntüleyebiliyorum?
Sadece üye olan kurumların ağından bağlandığınız da tüm sonuçları görüntüleyebilirsiniz. Üye olmayan kurumlar için kurum yetkililerinin başvurması durumunda 1 aylık ücretsiz deneme sürümü açmaktayız.
Benim olmayan çok sonuç geliyor?
Birçok kaynakça da atıflar "Soyad, İ" olarak gösterildiği için özellikle Soyad ve isminin baş harfi aynı olan akademisyenlerin atıfları zaman zaman karışabilmektedir. Bu sorun tüm dünyadaki atıf dizinlerinin sıkça karşılaştığı bir sorundur.
Sadece ilgili makaleme yapılan atıfları nasıl görebilirim?
Makalenizin ismini arattıktan sonra detaylar kısmına bastığınız anda seçtiğiniz makaleye yapılan atıfları görebilirsiniz.
  Atıf Sayısı 8
 Görüntüleme 21
 İndirme 2
Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin Analizi
2019
Dergi:  
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi
Yazar:  
Özet:

Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. İdealite faktörü (n=1,48), sıfır beslem engel yüksekliği (  b0=0,72 eV), seri direnç (Rs=2,02 k) gibi temel diyot parametreleri I-V verileri kullanılarak elde edildi. Ayrıca engel yüksekliği ve katkılama yoğunluğu (ND) değerleri 1kHz-3MHz frekans aralığında C-V ölçümlerinden belirlendi. I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen  b değerleri karşılaştırıldı. Her iki yöntemden elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı olgusuna ve geleneksel I-V ve C-V yöntemlerinin farklı tabiatına atfedildi. 

Anahtar Kelimeler:

Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Capacity-Voltaj Characteristics Analysis
2019
Yazar:  
Özet:

In this study, some of the electrical properties of the Mo/n-Si Schottky diots were studied. Diots were produced by the accumulation of Molibdenin (Mo) n-type Silicon (Si) using the method of magnetic distraction. Current-voltage (I-V) and capacity-voltage (C-V) measurements were taken at room temperature. The basic diot parameters such as the ideality factor (n=1.48), the zero-nutrition obstacle height ( b0=0.72 eV), serial resistance (Rs=2.02 kJ) were obtained using I-V data. In addition, the brake height and contributing intensity (ND) values were determined by C-V measurements in the 1kHz-3MHz frequency range. The I-V and C-V measurements are compared. The differences in the height values obtained from both methods were attributed to the fact that the height of the obstacle was homogeneous and the different nature of the traditional I-V and C-V methods.

Anahtar Kelimeler:

Analysis Of Current-voltage and Capacitance-voltage Characteristics Of Mo/n-si Schottky Diodes
2019
Yazar:  
Özet:

In this work, we have investigated the some electrical properties of Mo/n-Si Schottky diodes in detail. These diodes were fabricated by magnetic sputtering of Mo on n-Si. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements were taken at room temperature. Basic parameters such as ideality factor (n=1,48), zerobias barrier height (b0=0,72 eV), series resistance (Rs=2,02 k) values were obtained by using I-V data. Also, barrier height and doping concentration (ND) values were determined from C-V measurements between 1 kHz and 3 MHz frequency values. The barrier height values obtained from I-V and C-V measurements were found as different. This case attributed to barrier height inhomogeneity and different natures of conventional I-V and C-V methods. 

Anahtar Kelimeler:

Atıf Yapanlar
Dikkat!
Yayınların atıflarını görmek için Sobiad'a Üye Bir Üniversite Ağından erişim sağlamalısınız. Kurumuzun Sobiad'a üye olması için Kütüphane ve Dokümantasyon Daire Başkanlığı ile iletişim kurabilirsiniz.
Kampüs Dışı Erişim
Eğer Sobiad Abonesi bir kuruma bağlıysanız kurum dışı erişim için Giriş Yap Panelini kullanabilirsiniz. Kurumsal E-Mail adresiniz ile kolayca üye olup giriş yapabilirsiniz.
Benzer Makaleler






Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi

Alan :   Fen Bilimleri ve Matematik

Dergi Türü :   Ulusal

Metrikler
Makale : 1.636
Atıf : 3.135
2023 Impact/Etki : 0.134
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi