TlSe kristallerinin ısıl buharlaştırılması ile 900 Å kalınlığında hazırlanmış TlSe ince filminin kapasitans (C) ve dielektrik kayıp faktörü (tan δ) omik özellik gösteren Al elektrotlar kullanılarak ölçülmüştür. Hazırlanan TlSe ince filmlerin dielektrik sabiti ( ε'), dielektrik modülün gerçek (M') ve sanal kısımları (M'') ile dalgalı iletkenliği (σac) , 100 Hz-106 Hz frekans ve 213-393 K sıcaklık aralığında hesaplanmıştır. Cole-Cole eşitliği kullanılarak yapıdaki rahatlama zamanları belirlenmiştir. TlSe ince filmlerinin dielektrik parametrelerinin artan frekansla azaldığı ve artan sıcaklıkla arttığı bulunmuştur. Bu davranış yapıda birden fazla kutuplanma mekanizmasının varlığıyla açıklanabilir. AC iletkenliğin,ωs ilişkisini ( s <1 olmak üzere) sağladığı belirlendi.Yapıda iki farklı iletkenlik mekanizması belirlenmiştir. Bunlar, düşük frekanslarda küçük polaron tünellemesi ve yüksek frekanslarda klasik hoplama mekanizmalarıdır
Capacitance (C) and dielectric loss factor (tan δ) of TlSe thin film with thickness of 900 Å, measured via thermal evaporation of TlSe crystals, have been measured using ohmic Al electrodes. Dielectric constant (ε'), dielectric loss (εr'') , reel part and imaginary part of dielectric modulus and ac conducticity of the TlSe thin films have been calculated in the frequency range 100 Hz-106 Hz and within the temperature interval 213-393 K. Relaxation times in structure were derived by using Cole-Cole relation. The dielectric parameters of TlSe thin film are found to decrease with increasing frequency and increase with increasing temperature. This behavior can be explained as the multicomponent polarization in the structure. The ac conductivity obeys the ωs law with s (s<1). Two different conductivity mechanisms were determined in the structure. These are small polaron tunnels of the mechanism at low frequencies and classic hopping mechanism at high frequencies.
Alan : Mühendislik
Dergi Türü : Uluslararası
Benzer Makaleler | Yazar | # |
---|
Makale | Yazar | # |
---|