Views
10
Bu çalışmada, katı Bi-2212 süperiletken sisteminin yapısal bozukluklar-kusurlar ve kritik geçiş sıcaklıkları (başlangıç, Tc başlangıç ve ofset, Tc ofset) arasındaki ilişki hazırlık tavlama ortam koşullarına bağlı olarak ilk kez güçlü bir ilişki kurduk. Süperiletken malzemeler, geleneksel katı hal reaksiyon yolu ile 24 saat ila 48 saat arasında değişen tavlama süresi için 10°C sıcaklık adımı ile 830 °C - 850 °C arasındaki farklı tavlama sıcaklık aralıklarında hazırlandı. Sıcaklığa bağlı direnç ölçümleri 30-140 K sıcaklık aralığında yapıldı. Tüm deneysel ve teorik bulgular, tavlama ortamının temel karakteristik özellikleri önemli bir şekilde etkilediğini göstermektedir. En iyi tavlama ortamı, aktif elektron-fonon bağlantı özelliklerinin oluşum olasılığındaki artış ve gezici yük taşıyıcı konsantrasyonlarının optimizasyonu nedeniyle 840 °C 'lik tavlama sıcaklığının ve 24 saatlik sürenin kombinasyonu olduğu bulunmuştur. Benzer şekilde, Cu-3d ve O-2p elektronları arasındaki dalga fonksiyonlarının örtüşme mekanizmasında ve özellikle elektronik durum yoğunluklarının logaritmik dağılımında pozitif katkılar gözlendi. Ayrıca, uygun koşullardaki tavlama ortamı, Bi-2212 sisteminin kristal yapı kalitesini ve kristal yapıdaki taneler arasındaki etkileşimin iyileştirilmesini sağlamaktadır. Tersine, aşırı tavlama ortamı, kristal sistemdeki kalıcı kristal yapı problemlerinin önemli ölçüde artmasına neden olur. Ayrıca, en yüksek ilişkili model, kısa menzilli antiferromanyetik Cu-O2 katmanlarındaki minimum yapısal bozukluklara sahip Bi-2212 süper iletken malzemelerinin, maksimum Tc başlangıç ve Tc ofset değerleri sırasıyla yaklaşık 85.347 K (R2adj=0.9882) ve 87.421 K (r2adj=0.97465) olarak belirlenmiştir.
In this study, we established a strong relationship for the first time depending on the structural disorders of the rigid Bi-2212 superlight system and critical transition temperatures (start, Tc start and ofset, Tc ofset) depending on the preparation coating environmental conditions. Supernatural materials are prepared in different temperatures ranges between 10°C and 830°C to 850°C for the cooling period ranging from 24 hours to 48 hours through the traditional solid state reaction path. Temperature-related resistance measurements were carried out in a temperature range of 30-140 K. All experimental and theoretical findings show that the coating environment significantly affects the basic characteristics. The best welding environment has been found to be a combination of 840 °C welding temperature and 24 hour time due to the increase in the possibility of the formation of the active electron-fonon connection features and the optimization of the concentrations of passenger cargo carriers. Similarly, positive contributions were observed in the mechanism of the curvation of wave functions between the Cu-3d and O-2p electrons and in particular in the logarithmic distribution of electronic state intensities. In addition, the welding environment in suitable conditions ensures the quality of the crystal structure of the Bi-2212 system and improves the interaction between the tanes in the crystal structure. On the contrary, the excessive welding environment causes a significant increase in permanent crystal structure problems in the crystal system. Furthermore, the highest associated model, the Bi-2212 super conductive material with minimal structural disorders in the short-range antiferromanytic Cu-O2 layers, the maximum Tc start and Tc ofset values were identified as approximately 85.347 K (R2adj=0.9882) and 87.421 K (r2adj=0.97465) respectively.
In this study, we find a strong link depending on the preparation annealing ambient conditions between structural disorders-defects and characteristic transition temperature parameters (offset, Tc offset and onset, Tc onset) of bulk Bi2.1Sr2.0Ca1.1Cu2.0Oy system for the first time. The superconducting samples are prepared at various annealing temperatures intervals 830°C -850°C with the temperature step of 10°C for annealing time ranging between 24 h and 48 h via traditional solid-state reaction route. The temperature-dependent resistivity measurements are conducted at temperature range of 30-140 K. The most ideal annealing ambient is obtained to be the combination of annealing temperature of 840 °C and annealing time of 24 h because of the enhancement in the formation possibility of strong cooper-pairs and optimization of itinerant charge carrier concentrations in the valence band. Similarly, the positive contributions are observed in the overlapping mechanism of wave functions between Cu-3d and O-2p electrons and especially logarithmic distribution of electronic state densities. The optimum annealing ambient makes the Bi-2212 system refine the structural problems and especially connectivity between the grains in the crystal structure. Conversely, the excess annealing ambient leads to increase considerably the grain misorientation, defects and grain boundary couplings due to the induced permanent problems in the crystal system. The highest correlated model shows that the Bi-2212 superconducting compounds with the minimum structural disorders in the short-range-ordered antiferromagnetic Cu-O2 layers exhibit the maximum Tc onset and Tc offset values of about 85.347 K (R2adj=0.9882) and 87.421 K (R2adj=0. 97465).
Field : Fen Bilimleri ve Matematik; Mühendislik
Journal Type : Ulusal
Article Detail 
Similar Articles
Download PDF
Journal Information
Listen Paper
Cite
Print This Page
Share
Mendeley
