Özet:

Bu çalışmanın amacı, geniş spektrumlu aydınlatma altında iki yüzeyli silikon güneş pilinin difüzyon kapasitansı ve aşırı azınlık taşıyıcı yoğunluğu teorik çalışmasının sunulmasıdır. Güneş pili aşırı azınlık taşıyıcısından fotoakım ve fotogerilim yoğunluğu türetilmiştir. Difüzyon kapasitansı hem voltajın fonksiyonu ile hem de bağlantı yüzeyi rekombinasyon hızı ile ölçülmüştür. Elektrik polarizasyon etkileri farklı C-V (Difüzyon kapasitansı- Gerilim) grafkleri ile gösterilmiştir. Tüm çalışılan parametreler için, karakterizasyon voltaj kapasitansının elektrik alan parametreleri üzerindeki etkisi ve kavşak rekombinasyon hızı boyunca hücrenin operasyon noktasının etkisi gösterilmiştir  

Anahtar Kelimeler: