Atıf Sayısı
1
Görüntüleme
10
İndirme
1
SbSeI bileşiğinin 0-200 kBar'lık hidrostatik basınç altında yapısal parametreleri, elektronik yapısı ve yük yoğunluğu dağılımı ilk kez araştırıldı. Tüm hesaplamalar için Quantum Espresso yazılımı (QE) kullanıldı. Elektronik bant hesaplamaları, SbSeI bileşiğinin 0-40 kBar basınç aralığında dolaylı ve 80-200 kBar basınç aralığında direkt yasak enerji bant aralığına sahip olduğunu göstermektedir. SbSeI bileşiğinin 40-80 kBar aralığındaki bir basınçta yapısal faz geçişine maruz kaldığı düşünülmektedir.
The structural parameters, electronic structure, and charge density distribution of SbSeI compound under hydrostatic pressure of 0-200 kBar were investigated for the first time. Quantum Espresso software (QE) was used for all calculations. The electronic band structure calculations show that the forbidden band gap of the SbSeI compound has an indirect band in the 0-40 kBar pressure range and a direct band in the 80-200 kBar pressure range. The SbSeI compound is thought to undergo a possible structural phase transition at a pressure in the range of 40-80 kBar.
Dergi Türü : Uluslararası
Makale Detay 
Atıf Yapanlar
Benzer Makaleler
PDF Görüntüle
Dergi Bilgisi
Eseri Dinleyin
Bu Sayfayı Yazdırın
Paylaş
Mendeley
