Görüntüleme
13
İndirme
1
Bu çalışmada, katkısız ZnO ve Al, Mn katkılı ZnO yarı iletken ince filmler ve p-tipi Si diyotlar sol-jel spin kaplama tekniği kullanılarak üretildi. Üretilen ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri sırasıyla SEM, XRD ve UV-Spektrofotometre kullanılarak incelendi. İnce filmlerin kristal yapısının altıgen wurtzite yapıya sahip olduğu ve artan Mn katkısı ile numunelerin optik bant aralığı enerjilerinin azaldığı belirlendi. Termoiyonik emisyon modeli kullanılarak diyotların deneysel sıfır-besleme akım bariyer yüksekliği (Φb(I-V)), doğrultma oranı, idealite faktörü ve Ion/Ioff parametreleri hesaplandı. Üretilen Al/p-Si/ZnO:Al:Mn/Al diyotunun yüksek doğrultma oranının ve Ion/Ioff değerlerinin sırasıyla 1,56x105 ve 1,54x104 olduğu ve ışığa duyarlı davranışlar sergilediği belirlendi. Ayrıca, Al/p-Si/ZnO:Al:Mn/Al diyotunun kapasitans bariyer yüksekliği (Φb(C-V)), kurulma voltajı (Vbi), difüzyon potansiyeli (Vd), donör konsantrasyonu (Nd) ve tükenme tabakası genişliği (Wd) değerleri 1MHz frekans altında çizilen C-2-V grafiği kullanılarak hesaplandı. Elde edilen sonuçlar üretilen diyotların optoelektronik uygulamalarda fotodiyot veya fotosensör olarak kullanılabileceğini göstermektedir.
In this study, the uncontributed ZnO and Al, the Mn contributed ZnO were produced using semi-conductive thin films and p-type Si diots using the left-gen spin cover technique. The structural and optical characteristics of the produced fine films were studied using SEM, XRD and UV-spectrophotometers respectively. It was determined that the crystal structure of thin films has a six-gen wurtzite structure and that with the increased contribution of Mn the samples have reduced the optical band range energies. The thermoionic emission model used the experimental zero-nutrition flow barrier height (Φb(I-V) of diots, the direction rate, the ideality factor and the ion/ioff parameters were calculated. The production of the Al/p-Si/ZnO:Al:Mn/Al diode has a high direction rate and the Ion/Ioff values are respectively 1.56x105 and 1.54x104 and show light-sensitive behaviors. In addition, the values of the Al/p-Si/ZnO:Al:Mn/Al diode were calculated using the capacitan barrier height (Φb(C-V)), installation voltage (Vbi), diffusion potential (Vd), donor concentration (Nd) and extinction layer width (Wd) using the C-2-V chart drawn under 1MHz frequency. The results show that the diots produced can be used as photodiots or photosensors in optoelectronic applications.
Alan : Mimarlık, Planlama ve Tasarım; Mühendislik
Dergi Türü : Uluslararası
Makale Detay 
Benzer Makaleler
PDF Görüntüle
Dergi Bilgisi
Eseri Dinleyin
Alıntı Yap
Bu Sayfayı Yazdırın
Paylaş
Mendeley
