Atıf Sayısı
1
Görüntüleme
16
İndirme
3
İndiyum (In) omik kontaklı n-Si yarıiletkeni üzerinde döndürme kaplama yöntemi ile bakır ftalosiyanin (CuPc) organik ince film biriktirilmiştir. Doğrultucu kontak oluşturmak için altın (Au) metali ısısal buharlaştırma tekniği yardımı ile oluşturulmuştur. Sonuçta Au/CuPc/n-Si/In Schottky diyot yapısı üretilmiştir. İdealite faktörü, Schottky engel yüksekliği, doyma akımı, seri direnç ve şönt direnci gibi diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla araştırılmıştır. Au ve n-Si arasında biriktirilen CuPc ince filmi iyi bir doğrultma özelliği göstermiştir. Bu analizde, Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri oda sıcaklığında sırasıyla 0.757 eV ve 2.49 olarak belirlenmiştir. Sonuçlar, üretilen diyodun çeşitli optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir.
Indium (In) is accumulated organic thin film of baker ftalosyanin (CuPc) with the rotation method on the n-Si semiconductor with omic contact. The gold (Au) metal is created with the help of thermal evaporation technique to create the verifier contact. It is the Au/CuPc/n-Si/In Schottky diot structure. The ideality factor was studied with the help of the flow-strength (I-V) measurements of diot parameters, such as Schottky's brake height, saturation flow, serial resistance and shone resistance. The CuPc thin film, accumulated between Au and n-Si, has shown a good direction feature. In this analysis, Schottky’s height obstacle and ideality factor values were determined at room temperature at 0.757 eV and 2.49 respectively. The findings show that the produced diode can be used in various optoelectronic applications.
Copper phthalocyanine organic thin film was deposited on n-Si semiconductor with indium (In) ohmic contact by the spin coating method. Gold (Au) metal is formed by thermal evaporation technique to form a rectifier contact. As a result, Au/CuPc/n-Si/In Schottky diode structure was produced. Diode parameters such as ideality factor, Schottky barrier height, saturation current, series resistance and shunt resistance were investigated by means of current-voltage (I-V) measurements. CuPc thin film deposited between Au and n-Si has shown a good rectifying properties. From this analysis, the values of Schottky barrier height and ideality factor at room temperature have determined as 0.757 eV and 2.49, respectively. Results show that the fabricated diode can be used in various optoelectronic applications.
Alan : Fen Bilimleri ve Matematik; Mühendislik
Dergi Türü : Uluslararası
Makale Detay 
Atıf Yapanlar
Benzer Makaleler
PDF Görüntüle
Dergi Bilgisi
Eseri Dinleyin
Bu Sayfayı Yazdırın
Paylaş
Mendeley
