Özet:

Yapılan bu çalışmada, CMOS eşik gerilimine göre çalışan darlington cmos inverter devresi ile paralel analog-sayısal dönüştürücü(A/D) yapısı tasarlanmıştır.  Böylece bu yapıda nicemleme gerilimlerini elde etmek için kullanılan direnç bölme dizisine ihtiyaç kalmamıştır. Darlington yapısı, genellikle bipolar transistor için kullanılan bir yapı iken burada cmos yapısı için önerilmiştir. Bu sayede kullanılan inverter devresinin kazancı artırılmıştır.  Önerilen 4-bit paralel A/S dönüştürücü için besleme gerilimi +1.8V,  sistemin saat frekansı 10GHz, analog giriş işaretinin frekansı 100MHz alındığında elde edilen simülasyon sonuçlarına göre güç tüketimi 96.6mW, INL hatası (0/-1.24)LSB, DNL hatası ise (-0.71/+0.82)LSB olarak ölçülmüştür. Bütün simülasyon sonuçları şematik devre üzerinden alınmıştır.

Anahtar Kelimeler: