Özet:

Bu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası Vth değerleri, RadFET’lerin akım-gerilim (Id-Vg) karakteristiklerinden elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, Vth değerlerinin düşmesine neden olmuştur. Vth değerinin sıfır olması, daha geniş ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET’lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak, implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte Vth, p-kanalı oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET için en düşük Vth değeri, 6.5×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 72 keV’de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nm-RadFET için bu değer, 2.3×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 106 keV’de, -1.139 V olarak elde edilmiştir.

Anahtar Kelimeler: