Görüntüleme
15
İndirme
2
Perovskit ince filmler yüksek taşıyıcı hareketliliği ve uzun taşıyıcı ömrüne sahip olduğundan tatmin edici bir güç dönüşüm verimliliğine sahiplerdir. Araştırmalar sonucu perovskit malzemelerin verimi son dönemlerde laboratuvar ortamında yaklaşık maksimum %31 verimliliğe ulaşmıştır. Bu amaçla katkılandırmanın perovskit ince filmlerinin yapısal, yüzeysel ve elektriksel özdirenç üzerine etkilerini araştırmak için, üretilen katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin XRD, EDX, FESEM ve AFM ile yapısal özellikleri ile birlikte four point probe metodu kullanılarak özdirenç ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin özdirençlerinin artan voltajla birlikte asimptotik olarak azaldığı belirlenmiştir.
Perovskite thin films have good power conversion efficiency because they have high carrier mobility and a long carrier lifetime. As a result of the research, the yield of perovskite materials has recently reached a maximum efficiency of 31% in the laboratory environment. To investigate the effects of doping on perovskite thin films' structural, surface, and electrical resistivity, structural properties of undoped and 10% Cu-doped perovskite thin films were characterized with XRD, FESEM, EDX, and AFM. Their electrical measurements are carried out using four-point probe method. The resistivity of undoped and 10% Cu-doped perovskite thin films decreased asymptotically with voltage increase.
Alan : Mühendislik
Dergi Türü : Uluslararası
Makale Detay 
Benzer Makaleler
PDF Görüntüle
Dergi Bilgisi
Eseri Dinleyin
Alıntı Yap
Bu Sayfayı Yazdırın
Paylaş
Mendeley
