Özet:

Elektrokimyasal anodizasyon tekniği kullanılarak, silisyum nitrür (Si3N4 ) ince filmi oda sıcaklığında p-tipi Si (100) zemin üzerine oluşturuldu. Bu teknik p-tipi Si (100) zemin üzerine (Si3N4) gibi çok ince film üretmek için hem pratik hemde ekonomiktir. Si(100)’ın çok ince nitrür ile pasivasyonu, onun yüzey veya arayüzeylerini stabilize hale getirir ve arayüzey durum yoğunluğunu azaltır. Fakat, passive edilmiş yüzey daha sonra, hava pasivasyonuna maruz kalması yüzünden bozulmaya uğradığı gözlenir. Bu çalışmada, silisyum nitrür ince filmi pSi(100) yüzey üzerine elektrokimyasal anodizasyon tekniği yoluyla oluşturuldu. Kristalize silisyum, Raman Spektrometresi ile gözlendi. Atomik güç mikroskobu (AFM), oluşturulan filmin yüzey morfoloji özelliklerini elde etmek için kullanıldı. Hem silisyum nitrür’ün p-Si(100) üzerine oluşumunun analizi hemde yüzeyin bozulması yüksek-çözünürlüklü X-ray diffraction (XRD) tekniği ile incelendi

Anahtar Kelimeler: