Kullanım Kılavuzu
Neden sadece 3 sonuç görüntüleyebiliyorum?
Sadece üye olan kurumların ağından bağlandığınız da tüm sonuçları görüntüleyebilirsiniz. Üye olmayan kurumlar için kurum yetkililerinin başvurması durumunda 1 aylık ücretsiz deneme sürümü açmaktayız.
Benim olmayan çok sonuç geliyor?
Birçok kaynakça da atıflar "Soyad, İ" olarak gösterildiği için özellikle Soyad ve isminin baş harfi aynı olan akademisyenlerin atıfları zaman zaman karışabilmektedir. Bu sorun tüm dünyadaki atıf dizinlerinin sıkça karşılaştığı bir sorundur.
Sadece ilgili makaleme yapılan atıfları nasıl görebilirim?
Makalenizin ismini arattıktan sonra detaylar kısmına bastığınız anda seçtiğiniz makaleye yapılan atıfları görebilirsiniz.
 Görüntüleme 13
 İndirme 4
Hizli Isil Islemle Sns Ince Filmlerinin Uretimi: Sulfurleme Isleminde Tavlama Sicakliginin Etkisi
2022
Dergi:  
Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
Yazar:  
Özet:

In this study, the effect of sulfurization temperature on properties of SnS thin films was investigated. The SnS thin films were fabricated by two-stage method includes deposition of SnS films by magnetron sputtering using a single SnS target, followed by annealing/sulfurization treatment in Rapid Thermal Processing (RTP) system at 225, 300 and 375 °C temperatures. Several characterization techniques such as XRD, Raman spectroscopy, EDX, optical transmission and Van der Pauw were used for analyses of the films. The EDX analyses showed that all the samples had almost stoichiometric (S/Sn~1) chemical composition. However, the amount of sulfur in the samples increased slightly as the sulfurization temperature increased. XRD pattern of the films exhibited constitution of orthorhombic SnS structure regardless of annealing temperature. The SnS2 secondary phase was observed in addition to orthorhombic SnS phase in the sample annealed at highest reaction temperature (375°C). Raman spectroscopy measurements of the films verified constitution of orthorhombic SnS structure. The band gap of the films exhibited distinction from 1.42 to 1.81 eV regarding to annealing temperature. The electrical characterization of the most promising SnS thin film sulfurized at 300°C had resistivity and charge carrier concentration values 1.07x104 Ω.cm and 1.70x1014 cm-3, respectively. Based on the all characterizations, it can be deduced that SnS thin film sulfurized at 300°C exhibited more outstanding structural and optical properties for potential solar cell applications.

Anahtar Kelimeler:

Fabrication Of Sns Thin Film By Rapid Thermal Processing: Effect Of Annealing Temperature In Sulfurization Process
2022
Yazar:  
Anahtar Kelimeler:

Atıf Yapanlar
Bilgi: Bu yayına herhangi bir atıf yapılmamıştır.
Benzer Makaleler












Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi

Alan :   Fen Bilimleri ve Matematik; Mimarlık, Planlama ve Tasarım; Mühendislik; Ziraat, Orman ve Su Ürünleri

Dergi Türü :   Uluslararası

Metrikler
Makale : 645
Atıf : 1.103
2022 Impact/Etki : 0.297
Quarter
Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
Q2
31/122

Mühendislik Temel Alanı
Q2
27/90

Mimarlık, Planlama ve Tasarım Temel Alanı
Q2
10/32

Ziraat, Orman ve Su Ürünleri Temel Alanı
Q2
25/67

Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi